MOSFET à courant élevé pour les conceptions à forte densité de puissance

Un nouveau MOSFET de puissance à courant élevé de Littelfuse ciblant les systèmes compacts et à forte densité de puissance a été introduit pour répondre à la complexité thermique et à la prolifération des composants dans les conceptions énergétiques et industrielles modernes.Le dispositif combine une tension nominale de 200 V avec une capacité de courant allant jusqu'à 480 A, permettant aux concepteurs de remplacer plusieurs MOSFET en parallèle par un seul commutateur hautes performances.


Les principales caractéristiques sont :

200 V avec capacité de courant continu jusqu'à 480 A
Résistance à l'état passant ultra-faible de 1,99 mΩ
Boîtier en céramique isolé, refroidi par le dessus pour une conception thermique plus facile
Très faible résistance thermique jonction-boîtier de 0,14 °C/W
Charge de grille réduite (535 nC) pour une efficacité de commutation améliorée
Au cœur du dispositif se trouve une architecture à ultra-jonction, qui réduit considérablement les pertes de conduction dans les applications basse et moyenne tension où l'efficacité et la dissipation thermique sont des contraintes de conception critiques.En réduisant à la fois les pertes et le nombre de pièces, le MOSFET simplifie la configuration, la conception des commandes de grille et la fiabilité globale du système.

Un différenciateur clé est son boîtier SMPD-X isolé à base de céramique avec refroidissement supérieur.Le boîtier offre une isolation de 2,5 kV et une résistance thermique entre la jonction et le boîtier de seulement 0,14 °C/W, permettant d'extraire la chaleur plus efficacement que les boîtiers d'alimentation conventionnels refroidis par le bas.Cette approche facilite la conception thermique, en particulier dans les étages de puissance étroitement compactés utilisés dans le stockage d'énergie, la charge industrielle et la commutation CC à courant élevé.


Le courant nominal élevé du MOSFET permet la consolidation de dispositifs parallèles qui sont souvent nécessaires pour atteindre les objectifs de performances dans les systèmes de stockage d'énergie par batterie, les alimentations industrielles et les infrastructures de charge.Moins de commutateurs parallèles se traduisent par une surface de circuit imprimé réduite, une complexité d'assemblage moindre et un partage de courant amélioré sans techniques de configuration élaborées.Une charge de grille relativement faible de 535 nC réduit encore les pertes de commande de grille, permettant ainsi une efficacité de commutation plus élevée à grande échelle.

Les applications cibles incluent les commutateurs de charge CC, les systèmes de stockage d'énergie par batterie, les alimentations industrielles et de processus, les infrastructures de charge rapide et les plates-formes aériennes émergentes telles que les drones et les systèmes de décollage et d'atterrissage verticaux (VTOL), où la densité de puissance et la fiabilité thermique sont étroitement contraintes.À mesure que l’électronique de puissance évolue vers des courants plus élevés dans un encombrement réduit, les dispositifs combinant une résistance ultra-faible avec un boîtier avancé deviennent des éléments de base essentiels.En associant une capacité de courant élevé avec un refroidissement et une isolation supérieurs, ce MOSFET répond à un besoin croissant d'architectures d'alimentation plus simples et plus robustes sur les marchés industriels et énergétiques.