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FDPF8N50NZT

Mfr# FDPF8N50NZT
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Livret des spécifications FDPF8N50NZT.pdf

La description

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Modèle de produit FDPF8N50NZT
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4378 pcs
Livret des spécifications FDPF8N50NZT.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220F
Séries UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 40.3W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7360pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V
Description détaillée N-Channel 500V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)

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