Pourquoi nous faire confiance à votre entreprise?
Nous sortons la panique des achats. Nous stockons des millions de pièces difficiles à trouver provenant de nos sources fiables. Nous actualisons nos listes de produits en quelques minutes et les achats en ligne sont effectués en temps réel et expédiés tous les jours.
Fondée en 2002, MFGChips est un chef de file local de la distribution de composants électroniques et est également reconnue comme l'une des entreprises les plus respectées et les plus innovantes sur le marché local. MFGChips, dont le siège social est situé à Hong Kong, a acquis une réputation impressionnante en matière de service exceptionnel et de développement de solutions efficaces et complètes pour la chaîne logistique mondiale.
Apprendre encore plus >
Plateforme GaN DC-DC pour les centres de données IA
Une nouvelle plate-forme d'alimentation CC-CC de 10 kW de Navitas Semiconductor vise à accélérer la transition vers des architectures 800 V CC dans les centres de données IA, offrant jusqu'à 98,5 % d'efficacité maximale et une densité de puissance de 2,1 kW/pouce³ dans une empreinte compacte entièrement en brique.
Conçue pour l'infrastructure CC haute tension (HVDC) de nouvelle génération, la solution entièrement GaN convertit 800 V en 50 V et prend en charge les topologies de ±400 V à 50 V ciblant les demandes croissantes de puissance des charges de travail d'IA.La plate-forme atteint un rendement de 98,1 % à pleine charge et fonctionne à une fréquence de commutation de 1 MHz, permettant des champs magnétiques plus petits, des besoins de refroidissement réduits et une densité de système plus élevée.
Les principales caractéristiques sont :
Conversion DC-DC 10 kW pour les architectures 800 V à 50 V et ±400 V à 50 V
Jusqu'à 98,5 % d'efficacité maximale ;98,1% à pleine charge
Densité de puissance de 2,1 kW/in³ au format brique complète (61 × 116 × 11 mm)
Fréquence de commutation de 1 MHz utilisant des FET GaN 650 V et 100 V
Topologie en demi-pont à trois niveaux avec alimentation et contrôle auxiliaires intégrés
Au cœur de la conception se trouve une architecture en demi-pont à trois niveaux utilisant des FET GaN 650 V et 100 V avec redressement synchrone.L'approche est conçue pour réduire les pertes de commutation tout en maintenant les performances haute fréquence, aidant ainsi les concepteurs de centres de données à gérer les contraintes thermiques à mesure que les niveaux de puissance des racks continuent d'augmenter.
Logée dans un format standard en brique complète de 61 × 116 × 11 mm, la plate-forme intègre des circuits d'alimentation et de contrôle auxiliaires pour simplifier la mise en œuvre du système.La conception orientée production vise à faciliter l’adoption de la distribution 800 V CC alors que les opérateurs cherchent à améliorer l’efficacité et l’évolutivité des grands clusters d’IA.
Cette introduction intervient alors que les centres de données à grande échelle et d'entreprise évaluent les schémas de distribution à plus haute tension pour gérer la croissance prévue des calculs, certaines estimations suggérant que les requêtes d'IA pourraient nécessiter des ordres de grandeur supérieurs à ceux des charges de travail traditionnelles.En combinant haute efficacité et haute densité de puissance, la nouvelle plate-forme est positionnée pour prendre en charge des déploiements d’infrastructures d’IA plus rapides, plus froids et plus durables.Le système est actuellement en cours d'évaluation auprès de certains clients de centres de données, et des démonstrations industrielles plus larges sont prévues dans les mois à venir.