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Mentille 1200 V sic MOSFETS
Les MOSFET SIC 1200 V avec refroidissement supérieur offrent un meilleur refroidissement, une configuration facile et des performances fiables pour les stations de recharge industrielle et EV.
Nexperia a lancé une série de MOSFET de 1200 V Silicon Carbide (SIC) conçus pour des applications industrielles, avec une forte stabilité thermique dans un package refroidi à la côte supérieure (SMD) appelée X.Pak.Avec une conception compacte de 14 mm x 18,5 mm, X.Pak combine la facilité d'assemblage de SMD avec les avantages de refroidissement de la technologie à travers le trou, améliorant la dissipation thermique.Cette version répond à la demande de MOSFET SIC discrets dans des applications de haute puissance telles que les systèmes de stockage d'énergie de batterie (BESS), les onduleurs photovoltaïques, les lecteurs de moteur, les alimentations d'alimentation sans interruption (UPS) et les stations de charge EV.
Ce produit convient aux ingénieurs travaillant sur des systèmes de haute puissance et des stations de charge EV.Il est également utile pour les fabricants ayant besoin d'un meilleur refroidissement et d'une meilleure gestion de l'alimentation, des concepteurs de PCB et des équipes d'assemblage utilisant son refroidissement le plus haut pour une production plus facile, et des équipes de R&D créant des solutions d'énergie avancées.
Le package X.Pak améliore les performances thermiques en réduisant la dissipation de la chaleur via le PCB tout en maintenant une faible inductance pour les composants de montage de surface et en permettant à l'assemblage de la carte automatisée.
Les MOSFET SIC offrent d'excellents chiffres de mérite (FOM), en particulier dans RDS (ON), un facteur clé des pertes de conduction.Alors que de nombreux fabricants se concentrent sur les valeurs nominales RDS (sur), ce qui peut doubler à mesure que les températures augmentent, les appareils de Nexperia ne montrent qu'une augmentation de 38% par rapport à une plage de fonctionnement de 25 ° C à 175 ° C, garantissant des performances plus stables et efficaces.
«L'introduction de nos MOSFET SIC dans l'emballage X.Pak marque une progression importante dans la gestion thermique et la densité de puissance pour les applications de haute puissance», a déclaré Katrin Ferle, directrice principale et chef de SIC Discretes & Modules chez Nexperia."Cette nouvelle option de produit refroidie haut de gamme s'appuie sur nos lancements réussis de MOSFET SIC discrets dans les packages de 247 et SMD D2PAK-7. Il souligne l'engagement de Nexperia à fournir à nos clients le portefeuille le plus avancé et le plus flexible pour répondre à leurs besoins en constante conception."