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Fondée en 2002, MFGChips est un chef de file local de la distribution de composants électroniques et est également reconnue comme l'une des entreprises les plus respectées et les plus innovantes sur le marché local. MFGChips, dont le siège social est situé à Hong Kong, a acquis une réputation impressionnante en matière de service exceptionnel et de développement de solutions efficaces et complètes pour la chaîne logistique mondiale.
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Les nouveaux MOSFET stimulent le partage de courant
Une nouvelle paire de MOSFET spécifiques à une application cible les systèmes 48 V haute puissance avec un équilibre de courant dynamique amélioré, éliminant ainsi le besoin d'une adaptation de tension coûteuse.
Dans le but de simplifier la conception des systèmes haute puissance, une nouvelle série de MOSFET spécifiques à une application (ASFET) de 80 V et 100 V a été introduite pour améliorer le partage dynamique du courant entre les appareils connectés en parallèle.Destinés aux systèmes d'entraînement de moteur 48 V dans les véhicules électriques, les moteurs industriels et les équipements de mobilité, ces MOSFET répondent à l'un des défis les plus persistants de l'électronique de puissance : la répartition inégale du courant lors de la commutation.
Lorsque plusieurs MOSFET sont utilisés en parallèle pour augmenter la capacité de courant et réduire les pertes de conduction, des variations mineures de tension de seuil peuvent entraîner des contraintes thermiques et une défaillance prématurée du dispositif.Traditionnellement, les concepteurs s’appuyaient sur une adaptation coûteuse des appareils ou sur des spécifications excessives pour garantir un fonctionnement sûr – des approches à la fois inefficaces et coûteuses.
Les ASFET récemment lancés (PSMN1R9-80SSJ (80 V) et PSMN2R3-100SSJ (100 V)) offrent une solution plus pratique.Conçus pour un équilibrage de courant supérieur, ces appareils fournissent un delta de courant jusqu'à 50 % inférieur entre les unités parallèles (jusqu'à 50 A par appareil) lors des événements de mise sous tension et de désactivation.Ils disposent également d'une fenêtre VGS(th) réduite, resserrée à 0,6 V min-max, ce qui améliore considérablement la cohérence du partage de charge.
Les principales caractéristiques sont :
Boîtier robuste à clip en cuivre LFPAK88 8 × 8 mm
Large plage de températures de fonctionnement : –55°C à +175°C
Conçu pour les applications industrielles et automobiles exigeantes
En plus de ces améliorations d'équilibrage, les ASFET atteignent de faibles valeurs RDS(on) (1,9 mΩ pour la variante 80 V et 2,3 mΩ pour la version 100 V), permettant un rendement plus élevé et une génération de chaleur moindre dans les étapes de conversion de puissance.Ensemble, ces spécifications offrent aux concepteurs un chemin simple pour atteindre une fiabilité élevée sans adaptation personnalisée ni étapes de sélection supplémentaires.
En se concentrant sur l'optimisation du partage de courant plutôt que sur l'adaptation des seuils, ces ASFET de Nexperia simplifient la conception des circuits, réduisent les coûts et améliorent la robustesse du système : des avantages clés alors que l'électrification et l'automatisation industrielle entraînent des demandes de puissance plus élevées.