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Famille MOSFET SIC pour la conversion de puissance
AEC-Q101 DIRE Bare et dispositifs emballés discrets subissent un dépistage du WLBI et sont testés pour une tension de répartition d'avalanche dépassant 2200 V.
Semiq Inc., a introduit une nouvelle famille de MOSFET de 1700 V SIC conçue pour améliorer les applications de conversion à tension moyenne et haute puissance.Il s'agit notamment des onduleurs photovoltaïques et éoliens, du stockage d'énergie, des véhicules électriques (EV) et de la charge en bordure de route, des alimentations d'alimentation sans interruption (UPS) et des systèmes de chauffage / soudage à induction.
Les MOSFET QSIC à haute vitesse 1700 V présentent une conception planaire D-MOSFET, l'optimisation de la taille du système, de la densité de puissance et de la rentabilité dans les applications à grande échelle.Leur diode corporelle fiable fonctionne jusqu'à 175 ° C, avec des composants rigoureusement testés pour dépasser 1900 V et testés par avalanche ul à 600 MJ, assurant une durabilité et des performances robustes.
Les spécifications clés sont:
Côté supérieur en aluminium, nickel / argent côté inférieur
Dissipation de puissance: 564 W
Courant de vidange continu: 83 A @ 25 ° C
Courant de drain pulsé: 250 a
Tension de seuil de porte: 2,7 V @ 25 ° C
RDSON: 31 MΩ à 25 ° C
Temps de récupération inverse rapide: 17 ns
Fuite de passerelle basse
Disponibles à la fois en die nure (GP2T030A170X) et aux formulaires emballés à 247-4L (GP2T030A170H), les appareils QSIC 1700 V sont également disponibles dans une version qualifiée AEC-Q101 (AS2T030A170X et AS2T030A170H).Ces appareils offrent de faibles pertes de commutation et de conduction, une capacité réduite et un oxyde de porte robuste pour une fiabilité améliorée à long terme.Tous les composants subissent un brûlage au niveau de la plaquette (WLBI) pour éliminer les dispositifs d'oxyde faible, garantissant des performances optimales.
De plus, Semiq a annoncé trois modules de puissance conçus pour simplifier l'intégration du système.Il s'agit notamment d'un module de demi-pont de 62 mm standard avec une plaque de base isolée et de deux modules d'alimentation SOT-227, qui améliorent la densité de puissance et simplifient les processus de montage.
Les modules de puissance fournissent une dissipation de puissance plus élevée, les versions SOT-227 offrant une dissipation de puissance de 652 W et le module demi-pont offrant jusqu'à 2113 W de dissipation, garantissant une gestion thermique améliorée pour les applications haute performance.
Semiq Inc., a introduit une nouvelle famille de MOSFET de 1700 V SIC conçue pour améliorer les applications de conversion à tension moyenne et haute puissance.Il s'agit notamment des onduleurs photovoltaïques et éoliens, du stockage d'énergie, des véhicules électriques (EV) et de la charge en bordure de route, des alimentations d'alimentation sans interruption (UPS) et des systèmes de chauffage / soudage à induction.
Les MOSFET QSIC à haute vitesse 1700 V présentent une conception planaire D-MOSFET, l'optimisation de la taille du système, de la densité de puissance et de la rentabilité dans les applications à grande échelle.Leur diode corporelle fiable fonctionne jusqu'à 175 ° C, avec des composants rigoureusement testés pour dépasser 1900 V et testés par avalanche ul à 600 MJ, assurant une durabilité et des performances robustes.
Les spécifications clés sont:
Côté supérieur en aluminium, nickel / argent côté inférieur
Dissipation de puissance: 564 W
Courant de vidange continu: 83 A @ 25 ° C
Courant de drain pulsé: 250 a
Tension de seuil de porte: 2,7 V @ 25 ° C
RDSON: 31 MΩ à 25 ° C
Temps de récupération inverse rapide: 17 ns
Fuite de passerelle basse
Disponibles à la fois en die nure (GP2T030A170X) et aux formulaires emballés à 247-4L (GP2T030A170H), les appareils QSIC 1700 V sont également disponibles dans une version qualifiée AEC-Q101 (AS2T030A170X et AS2T030A170H).Ces appareils offrent de faibles pertes de commutation et de conduction, une capacité réduite et un oxyde de porte robuste pour une fiabilité améliorée à long terme.Tous les composants subissent un brûlage au niveau de la plaquette (WLBI) pour éliminer les dispositifs d'oxyde faible, garantissant des performances optimales.
De plus, Semiq a annoncé trois modules de puissance conçus pour simplifier l'intégration du système.Il s'agit notamment d'un module de demi-pont de 62 mm standard avec une plaque de base isolée et de deux modules d'alimentation SOT-227, qui améliorent la densité de puissance et simplifient les processus de montage.
Les modules de puissance fournissent une dissipation de puissance plus élevée, les versions SOT-227 offrant une dissipation de puissance de 652 W et le module demi-pont offrant jusqu'à 2113 W de dissipation, garantissant une gestion thermique améliorée pour les applications haute performance.