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Diode TVS pour la protection MOSFET SIC
La série TVS Diode offre une protection unique pour les pilotes SIC MOSFET Gate, simplifiant les conceptions et améliorant la protection de surtension dans les systèmes EV.
Littelfuse, Inc. a annoncé le lancement de sa série TPSMB ASYMETRIQUE TVS.La société affirme que ce produit est la première diode asymétrique de suppression de tension transitoire (TVS) explicitement conçue pour protéger les pilotes MOSFET Gate en carbure de silicium (SIC) dans les applications automobiles.La diode répond au besoin de protection contre la surtension dans les systèmes de véhicules électriques (EV), offrant une solution unique qui remplace plusieurs diodes zener ou composants TVS précédemment utilisés pour la protection du pilote de porte.
La série de diodes TPSMB asymétrique TVS offre une protection pour les pilotes de porte MOSFET SIC, qui sont vulnérables aux événements de surtension en raison de leurs vitesses de commutation plus rapides par rapport aux MOSFET ou IGBT à base de silicium traditionnels.La conception asymétrique peut accueillir les différentes cotes de tension du conducteur de porte positif et négatif des MOSFET SIC, garantissant les performances dans les applications d'alimentation automobile telles que les chargeurs embarqués (OBC), les onduleurs de traction EV, les interfaces d'E / S et les bus VCC.Ces applications nécessitent une protection contre la surtension pour maintenir les performances, la durabilité et l'efficacité.
La diode TPSMB ASYMETRICAL SERIE MOUNT TVS en surface offre plusieurs fonctionnalités pour protéger les pilotes de porte MOSFET SIC dans les applications automobiles.Un avantage est sa capacité à fournir une protection du pilote MOSFET SIC MOSFET unique, en éliminant le besoin de diodes Zener ou TVS multiples et réduisant le nombre de composants.La diode est conçue pour la protection de tension asymétrique du conducteur de la porte, traitant les différentes cotes de tension négative et positive des MOSFET SIC.
La diode est livrée dans un package DO-214AA, adapté aux conceptions automobiles limitées dans l'espace.Il est qualifié AEC-Q101, garantissant la fiabilité des applications automobiles.La série asymétrique TPSMB offre une protection avec des capacités de dissipation de puissance de la dissipation de puissance d'impulsion de pointe jusqu'à 600W, protégeant efficacement les événements de surtension transitoire.La diode comprend également une tension de serrage basse, protégeant les entraînements de porte négatifs.
Charlie Cai, directeur de la gestion des produits, Business Protection, Littelfuse, met l'accent sur la valeur que ce produit apporte aux ingénieurs automobiles: «La série TPSMB ASYMETRIQUE TVS DIODE offre une solution innovante pour la protection du pilote SIC MOSFET, éliminant le besoin de plusieurs composants et simplifiant la SIC MOSFET Gate Driver ProtectionProcessus de conception pour les ingénieurs.Sa conception compacte et fiable garantit que les systèmes d'alimentation automobile critiques sont sauvegardés contre les événements de surtension, soutenant les progrès continus des véhicules électriques et d'autres applications haute performance. »
Littelfuse, Inc. a annoncé le lancement de sa série TPSMB ASYMETRIQUE TVS.La société affirme que ce produit est la première diode asymétrique de suppression de tension transitoire (TVS) explicitement conçue pour protéger les pilotes MOSFET Gate en carbure de silicium (SIC) dans les applications automobiles.La diode répond au besoin de protection contre la surtension dans les systèmes de véhicules électriques (EV), offrant une solution unique qui remplace plusieurs diodes zener ou composants TVS précédemment utilisés pour la protection du pilote de porte.
La série de diodes TPSMB asymétrique TVS offre une protection pour les pilotes de porte MOSFET SIC, qui sont vulnérables aux événements de surtension en raison de leurs vitesses de commutation plus rapides par rapport aux MOSFET ou IGBT à base de silicium traditionnels.La conception asymétrique peut accueillir les différentes cotes de tension du conducteur de porte positif et négatif des MOSFET SIC, garantissant les performances dans les applications d'alimentation automobile telles que les chargeurs embarqués (OBC), les onduleurs de traction EV, les interfaces d'E / S et les bus VCC.Ces applications nécessitent une protection contre la surtension pour maintenir les performances, la durabilité et l'efficacité.
La diode TPSMB ASYMETRICAL SERIE MOUNT TVS en surface offre plusieurs fonctionnalités pour protéger les pilotes de porte MOSFET SIC dans les applications automobiles.Un avantage est sa capacité à fournir une protection du pilote MOSFET SIC MOSFET unique, en éliminant le besoin de diodes Zener ou TVS multiples et réduisant le nombre de composants.La diode est conçue pour la protection de tension asymétrique du conducteur de la porte, traitant les différentes cotes de tension négative et positive des MOSFET SIC.
La diode est livrée dans un package DO-214AA, adapté aux conceptions automobiles limitées dans l'espace.Il est qualifié AEC-Q101, garantissant la fiabilité des applications automobiles.La série asymétrique TPSMB offre une protection avec des capacités de dissipation de puissance de la dissipation de puissance d'impulsion de pointe jusqu'à 600W, protégeant efficacement les événements de surtension transitoire.La diode comprend également une tension de serrage basse, protégeant les entraînements de porte négatifs.
Charlie Cai, directeur de la gestion des produits, Business Protection, Littelfuse, met l'accent sur la valeur que ce produit apporte aux ingénieurs automobiles: «La série TPSMB ASYMETRIQUE TVS DIODE offre une solution innovante pour la protection du pilote SIC MOSFET, éliminant le besoin de plusieurs composants et simplifiant la SIC MOSFET Gate Driver ProtectionProcessus de conception pour les ingénieurs.Sa conception compacte et fiable garantit que les systèmes d'alimentation automobile critiques sont sauvegardés contre les événements de surtension, soutenant les progrès continus des véhicules électriques et d'autres applications haute performance. »